ČSN EN 60749-38

Tato část normy popisuje postup měření výskytu občasných chyb polovodičových součástek s pamětí, které jsou vystaveny částicím s vysokou energií, jako je alfa záření. Jsou popsány dvě zkoušky; zrychlená zkouška používá zdroj záření alfa a (neurychlovaná) zkouška systému v reálném čase, kde libovolné chyby jsou generovány za podmínek přirozeného výskytu záření, což může být alfa záření a jiná záření, například neutronová. Pro úplné popsání výskytu občasných chyb integrovaných obvodů s pamětí musí být součástka zkoušena pro široké spektrum částic s vysokých energií a tepelných neutronů a musí se použít další zkušební metody. Tato zkušební metoda může být použita pro libovolný typ integrovaného obvodu s pamětí.