Vážení zákazníci, v letošním roce budeme expedovat poslední objednávky ve čtvrtek 18. 12. 2025.

Těšíme se s vámi na shledanou od pondělí 05. 01. 2026.

 

Přihlásit seRegistrovat se
Jazyk czen
Menu
KontaktOBCHODNÁPOVĚDAInfobarNovinky
Hledání
0
Celková cena
0 Kč
Cena s DPH / bez DPH
>25/30513132 DC BS EN IEC 63068-5 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography
sklademVydáno: 2025-03-14
25/30513132 DC BS EN IEC 63068-5 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography

25/30513132 DC

BS EN IEC 63068-5 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky Zabezpečené PDF
K okamžitému stažení
Netisknutelné
560 Kč
Anglicky Tisk
Skladem
560 Kč
Označení normy:25/30513132 DC
Počet stran:32
Vydáno:2025-03-14
Status:Draft for Comment
Popis

25/30513132 DC


This standard 25/30513132 DC BS EN IEC 63068-5 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - is classified in these ICS categories:
  • 31.080.01 Semiconductor devices in general

Tisk