>DIN EN 62047-25 Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich (IEC 62047-25:2016); Deutsche Fassung EN 62047-25:2016
sklademDatum vydání: 2017-04
DIN EN 62047-25
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich (IEC 62047-25:2016); Deutsche Fassung EN 62047-25:2016
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2017-04
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Německy
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DIN EN 62047-25
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Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25: Siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich (IEC 62047-25:2016); Deutsche Fassung EN 62047-25:2016