Cena s DPH / bez DPH
sklademVydáno: 2020-07-15
IEC 62373-1:2020
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) - Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET
Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky/Francouzsky Tisk
skladem
4433 Kč
Anglicky/Francouzsky PDF
K okamžitému stažení
4433 Kč
| Označení normy: | IEC 62373-1:2020 |
| Vydáno: | 2020-07-15 |
| Edice: | 1 |
| ICS: | 31.080.30 |
| Počet stran (Anglicky/Francouzsky): | 44 |
| ISBN (Anglicky/Francouzsky): | 9782832286104 |
Popis
IEC 62373-1:2020
IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method.