Přihlásit seRegistrovat se
Jazyk czen
Menu
KontaktOBCHODNÁPOVĚDANovinky
Hledání
0
Celková cena
0 Kč
Cena s DPH / bez DPH
Hlavní stránka>ČSN EN 62373 - Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou
Vydáno: 01.03.2007
ČSN EN 62373 - Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou

ČSN EN 62373

Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou

Formát
Dostupnost
Cena a měna
Anglicky Tisk
Skladem
325 Kč
Označení normy:ČSN EN 62373
Třídící znak:358767
Počet stran:32
Vydáno:01.03.2007
Harmonizace:Norma není harmonizována
Katalogové číslo:78056
Popis

ČSN EN 62373

Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou. Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí. Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
Tisk